アルバックが例年12月に開催するセミナーに参加、質問もした。12月19日10時〜11時半。昨年は、中国ビジネス動向だったが、今年は、技術、GaN等のパワーデバイス動向であり、内容が濃い。
まず、斉藤上席執行役員が、イントロでパワーデバイス業界トレンドを紹介、次いで、トヨタ中研から現在、名大特任教授の加地氏によるGaNパワーデバイス動向、アルバックの上村部長からは化合物半導体、GaN-HEMT、VCSELなど、ホットな話題が提供された。質疑の時間が、10分弱であり、1人1問で3問だったのが残念だった。
パワーデバイスにおけるGaNの可能性
パワーデバイスの応用は、縦軸に消費電力、横軸に周波数をとると、下図のように、すみ分けられている。
加地特任教授によるクルマにおけるGaNの応用分野
加地教授は、これまで、トヨタ中研等で、ずっとEV向けパワーデバイスに係ってきた。ハイブリッドも含め、電動化の鍵は、①電池、②車体、③半導体、である。
VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser ヴィクセル垂直共振器型面発光レーザ)
iPhoneの顔認証(ロミオモジュールと、ジュリエットモジュール)では、VCSELが使われた。