パワー半導体の中で、EV向け、重電など多く分野で期待されるのは、SiCである。2022~2023年に本格離陸するとされるが、課題は、開発強化と低コスト化である。トリレンマである、低オン抵抗、高速スイッチング、破壊耐性を同時に達成、ウエハーの8φ化など、ウエハー材料レベル、パッケージレベル、モジュール、それぞれのレベルで努力が必要だろう。
そこで、重要なのは、ウエハー製造である。そこでの不都合な真実は、製造に高温が必要であり、SiCデバイスで省エネになっても、ウエハー製造でエネルギーが大きいと、カーボンニュートラルにマイナスとなる。 SiCのウエハー製造は、通常のSiウエハー製造と異なる。これまで主流は、昇華法だが、溶液法やガス法なども提唱されている、