パワー半導体が新たな成長段階に入ろうとしている。これまで、Si-MOSFETやSi-IGBTが中心であったが、SiCが本格離陸、GaNも将来が見えてきた。SiCは、現状での昇華法では、ウェハーの欠陥問題があり、口径は6φ以下が中心で、供給もクリー等、海外メーカーに限られてきた(Siクリスタルは、ローム傘下だが工場はドイツである)。
NEDOプロジェクトや企業の努力もあり、8φの大口径化が進み、昇華法に加え、新たな溶液法なども登場、欠陥削減やウェハー反り問題も解決策の技術が登場している。
GaNでも、これまでは、いわゆる横GaNが中心であったが、本命の縦GaNを見据えた、信越化学のQSTと沖電気のCFB技術が登場してきた。